发明名称 沉积薄层的方法和获得的产品
摘要 本发明涉及获得在第一面上用至少一个基于至少一种氧化物的透明导电薄层覆盖的基材的方法,该方法包括以下步骤:-将所述至少一个薄层沉积在所述基材上,-使所述至少一个薄层经受热处理步骤,在其中借助于具有500-2000nm波长并且聚焦于所述至少一个层的其至少一个维度不超过10厘米的区域上的辐射照射所述至少一个层,所述辐射由至少一个面对所述至少一个层放置的辐射装置发出,同时在所述辐射装置和所述基材之间产生相对位移以便处理所希望的表面,所述热处理使得所述至少一个层的电阻率在处理期间被降低。
申请公布号 CN102459110A 申请公布日期 2012.05.16
申请号 CN201080026139.3 申请日期 2010.06.04
申请人 法国圣戈班玻璃厂 发明人 E·彼得;A·卡申科;N·纳多
分类号 C03C17/23(2006.01)I;C03C17/245(2006.01)I;B23K26/00(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C03C17/34(2006.01)I 主分类号 C03C17/23(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 黄念;林森
主权项 获得在第一面上用至少一个基于至少一种氧化物的透明导电薄层覆盖的基材的方法,该方法包括以下步骤:‑将所述至少一个薄层沉积在所述基材上,‑使所述至少一个薄层经受热处理步骤,在其中借助于具有500‑2000nm波长并聚焦于所述至少一个层的其至少一个维度不超过10厘米的区域上的辐射照射所述至少一个层,所述辐射由至少一个面对所述至少一个层放置的辐射装置发出,在所述辐射装置和所述基材之间产生相对位移以便处理该所希望的表面,所述热处理使得所述至少一个层的电阻率在处理期间被降低。
地址 法国库伯瓦