芯片级电磁干扰屏蔽结构及制造方法

摘要

一种芯片级电磁干扰屏蔽结构及制造方法，此芯片级电磁干扰屏蔽结构包括半导体基材、至少一接地导线、一接地层与一连接结构。接地导线设置于半导体基材的第一面，接地层设置于半导体基材的第二面，连接结构则形成于半导体基材的侧壁上以连接接地层与接地导线以形成屏蔽。此芯片级电磁干扰屏蔽结构可降低芯片体积与成本。

主权项

一种芯片级电磁干扰屏蔽结构，适用于设置至少一芯片，其特征在于该芯片级电磁干扰屏蔽结构包括：一半导体基材；至少一接地导线，设置于该半导体基材的一第一面上且该接地导线位于该半导体基材的边缘；一接地层，设置于该半导体基材的一第二面上；以及一连接结构，设置于该半导体基材的一侧壁上，用以连接所述接地导线与该接地层。