| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一半导体芯片，其包括穿透其至少一部分的第一穿透电极和第二穿透电极，第一穿透电极具有第一突出高度，第二穿透电极具有高于第一突出高度的第二突出高度；第二半导体芯片，其与第一穿透电极电连接；以及第三半导体芯片，其与第二穿透电极电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN102456663A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201110309782.3 | 申请日期 | 2011.10.13 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郑世泳;宋昊建;李忠善;李镐珍 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 姜盛花;陈源 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括穿透其至少一部分的第一穿透电极和第二穿透电极，第一穿透电极具有第一突出高度且第二穿透电极具有与所述第一突出高度不同的第二突出高度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||