| 发明名称 | 一种淀积掺氮碳化硅薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种淀积掺氮碳化硅薄膜的方法，通过采用氮化硅作为反应腔内壁的保护层，由于氮化硅中不含碳元素，从而在淀积掺氮碳化硅薄膜之前的预处理过程中，避免了碳元素被等离子体反溅到晶片的表面而形成微缺陷，且能更好去除铜表面的氧化铜。 | ||
| 申请公布号 | CN102456568A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201110298918.5 | 申请日期 | 2011.09.29 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 徐强;张文广;郑春生;陈玉文 |
| 分类号 | H01L21/321(2006.01)I;H01L21/3215(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/321(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种淀积掺氮碳化硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：于一反应腔内壁淀积氮化硅薄膜；步骤S2：在该反应腔内进行部分铜双大马士革结构互连工艺。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||