| 发明名称 | 半导体装置和半导体装置制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体装置和半导体装置制造方法。所述半导体装置包括第一导电型晶体管和第二导电型晶体管，所述第一导电型晶体管和所述第二导电型晶体管每一者均包括：形成在基体上的栅极绝缘膜；形成在所述栅极绝缘膜上的金属栅极电极；以及形成在所述金属栅极电极的侧壁处的侧壁间隔部。其中，所述栅极绝缘膜由高介电常数材料制成；并且在所述第一导电型晶体管和所述第二导电型晶体管任意一者中在所述金属栅极电极的侧壁与所述侧壁间隔部的内壁之间形成有偏移间隔部，或者在所述第一导电型晶体管和所述第二导电型晶体管中形成有不同厚度的偏移间隔部。本发明可以提供具有微细结构并能够使栅极长度最优化的半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN102456691A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201110322857.1 | 申请日期 | 2011.10.21 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 松本光市 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 陈桂香;武玉琴 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其包括第一导电型晶体管和第二导电型晶体管，其中，所述第一导电型晶体管和所述第二导电型晶体管每一者均包括：栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜形成在基体上；金属栅极电极，所述金属栅极电极形成在所述栅极绝缘膜上；以及侧壁间隔部，所述侧壁间隔部形成在所述金属栅极电极的侧壁处，所述栅极绝缘膜由高介电常数材料制成，并且在所述第一导电型晶体管和所述第二导电型晶体管任意一者中在所述金属栅极电极的侧壁与所述侧壁间隔部的内壁之间形成有偏移间隔部，或者在所述第一导电型晶体管和所述第二导电型晶体管中形成有不同厚度的偏移间隔部。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||