| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体装置的制造方法，具体是把成为源漏扩展区的金属半导体化合物层的成长加以控制，具有高的电流驱动力及短沟道效应耐性的MISEFET的半导体装置的制造方法。具备MISFET的半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体基板上形成栅绝缘膜、在栅绝缘膜上形成栅电极、对栅电极的各个侧面从外侧向内侧的方向通过倾斜离子注入，在上述半导体基板中注入5.0e14atoms/cm2以上1.5e15atoms/cm2以下的氮，在栅电极两侧的上述半导体基板上沉积含镍的金属膜，进行使金属膜与半导体基板反应而形成金属半导体化合物层的第1热处理。 | ||
| 申请公布号 | CN102460660A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN200980160071.5 | 申请日期 | 2009.06.26 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 池田圭司 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王永红 |
| 主权项 | 半导体装置的制造方法，其是具备MISFET的半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体基板上形成栅绝缘膜；在上述栅绝缘膜上形成栅电极；对上述栅电极的各个侧面，在从外侧向内侧的方向上，通过倾斜离子注入，在上述半导体基板中注入5.0e14atoms/cm2以上1.5e15atoms/cm2以下的氮；上述栅电极的两侧的上述半导体基板上沉积含镍的金属膜；进行第1热处理，使上述金属膜与上述半导体基板反应，形成金属半导体化合物层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||