| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。本发明的半导体结构采用共用接触来调节阈值电压，即接触位于源区或漏区外侧的部分延伸至背栅区，并形成源区或漏区与背栅区的电学接触，简化了制作工艺程序，能够提高集成度、降低生产成本。此外，非对称背栅结构设计能够进一步提高阈值电压调节效果，改善器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102456737A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201010527488.5 | 申请日期 | 2010.10.27 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;梁擎擎;尹海洲;骆志炯 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括，SOI衬底，自上而下依次包括SOI层、第一氧化物埋层、接SOI层、第二氧化物埋层和衬底；浅沟槽隔离，嵌于所述SOI衬底中，位于所述第二氧化物埋层上，形成有源区；栅极，位于所述有源区内；源漏区，位于所述栅极两侧；背栅区，接SOI层低电阻化后形成的区域；和接触；其特征在于：所述背栅区至少包括接SOI层中位于源区或漏区下方和栅极下方的区域；所述接触位于源区或漏区外侧的部分延伸至背栅区，并形成源区或漏区与背栅区的电学接触。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||