Dreidimensionales Halbleiterbauelement

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein dreidimensionales (3D) Halbleiterbauelement mit Stapelstrukturbereichen, in denen Gate- und isolierende Muster gestapelt sind, insbesondere auf ein 3D-Halbleiterspeicherbauelement. Ein 3D-Halbleiterspeicherbauelement der Erfindung beinhaltet eine Stapelstruktur (170), die Gate- und Isolationsmuster beinhaltet, die alternierend und wiederholt gestapelt sind und sich in einer ersten Richtung auf einem Substrat (100) erstrecken, wobei die Stapelstruktur einen ersten Bereich und einen zweiten Bereich mit einer geringeren Breite als jener des ersten Bereichs in einer zweiten Richtung im Wesentlichen senkrecht zu der ersten Richtung, vertikale aktive Muster (130), welche die Stapelstruktur durchdringen, eine dielektrische Mehrfachschicht (160) zwischen einer Seitenwand von einem der vertikalen aktiven Muster und entsprechenden der Gatemuster, einen gemeinsamen Sourcebereich (150) in dem Substrat angrenzend an eine Seite der Stapelstruktur und einen Verbindungskontaktstift (180) beinhaltet, der auf dem gemeinsamen Sourcebereich ausgebildet ist und an den zweiten Bereich der Stapelstruktur angrenzt. Verwendung z. B. in der Halbleiterspeichertechnologie.