| 发明名称 | 半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，在栅极结构两侧形成侧壁层，侧壁层包括第一侧壁层和第二侧壁层，第一侧壁层覆盖于第二侧壁层之上，且第一侧壁层为无定形碳。采用本发明公开的方法避免了半导体衬底表面被损伤，也避免了半导体器件发生漏电。 | ||
| 申请公布号 | CN102456627A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201010513054.X | 申请日期 | 2010.10.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 孙武;张海洋;黄怡;鲍宇 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，该方法包括：在半导体衬底表面形成栅极结构；向半导体衬底进行轻掺杂漏LDD注入，在栅极结构两侧的半导体衬底上形成轻掺杂漏极和轻掺杂源极；分别在栅极结构两侧形成侧壁层，侧壁层包括第一侧壁层和第二侧壁层，第一侧壁层覆盖于第二侧壁层之上，且第一侧壁层为无定形碳；向半导体衬底进行离子注入，在侧壁层两侧的半导体衬底上形成漏极和源极；去除第一侧壁层；在半导体衬底表面以及第二侧壁层表面形成接触孔刻蚀停止层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||