| 发明名称 | 一种自对准金属硅化物的沟槽型半导体器件及制造方法 | ||
| 摘要 | 一种自对准金属硅化物的沟槽型半导体器件及制造方法，该方法包括：利用源区掩模形成基区；利用沟槽掩模蚀刻出沟槽，并沉积多晶硅；注入磷元素，形成源区；在所述多晶硅和源区表面形成硅化物；沉积铝铜合金，形成源极金属垫层，栅极金属垫层和金属连线。本发明的制造方法由于采用了较少的掩模板，减少了自对准金属硅化物的沟槽型半导体器件的制造工序和污染，保证了半导体器件的阈值电压等电参数的一致性。由于本发明的制造方法简单、容易，制造工艺容易实现，使器件的质量以及可靠性得到了较大的提高。 | ||
| 申请公布号 | CN102456574A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201010523007.3 | 申请日期 | 2010.10.27 |
| 申请人 | 香港商莫斯飞特半导体有限公司 | 发明人 | 梁安杰;苏冠创;张崇兴 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人 | 王金双 |
| 主权项 | 一种自对准金属硅化物的沟槽型半导体器件的制造方法，该方法包括以下步骤：1）利用源区掩模形成基区；2）利用沟槽掩模蚀刻出沟槽，并沉积多晶硅；3）注入磷元素，形成源区；4）在所述多晶硅和源区表面形成硅化物；5）沉积铝铜合金，形成源极金属垫层，栅极金属垫层和金属连线。 | ||
| 地址 | 中国香港沙田科学园一期科技大道西5号企业广场5楼510室 | ||