| 发明名称 | 钛酸钡系半导体瓷器组合物及钛酸钡系半导体瓷器元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供布温度传感器用途的PCT热敏电阻中能够使用的、具有包括线性特性在内、作为PTC热敏电阻有利的特性的钛酸钡系半导体瓷器组合物以及钛酸钡系半导体瓷器元件。所述钛酸钡系半导体瓷器组合物，其特征在于，由通式(Ba(1-v-w)MevSrw)TixO3+ySiO2(其中，Me为选自Er、Sm、Ce、La中的至少一种)表示，并且v、w、x、y分别在0.001≤v≤0.005、0.42≤w≤0.49、0.99≤x≤1.03、0.002≤y≤0.030的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN102459127A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201080024406.3 | 申请日期 | 2010.06.03 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 川濑洋一;奥田俊介;平田雄一;并河康训 |
| 分类号 | C04B35/46(2006.01)I;H01B3/12(2006.01)I;H01C7/02(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 张宝荣 |
| 主权项 | 一种钛酸钡系半导体瓷器组合物，其特征在于，由通式(Ba(1‑v‑w)MevSrw)TixO3+ySiO2表示，其中，Me为选自Er、Sm、Ce、La中的至少一种，并且v、w、x、y分别在0.001≤v≤0.005、0.42≤w≤0.49、0.99≤x≤1.03、0.002≤y≤0.030的范围内。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||