用于处理半导体晶片的方法

摘要

披露了用于处理半导体晶片的方法，该方法包括：提供堆叠，所述堆叠包括：包括第一氧化物材料的高k层，其中所述第一氧化物材料包含铪和/或锆，以及包括第二氧化物材料的覆盖层，其中所述覆盖层沉积在所述高k层的上部，其中所述第二氧化物材料包含镧、镧系元素和/或铝，执行步骤SA，其中将液体A供给到所述半导体晶片的表面，其中液体A为包含氧化剂的水溶液，执行步骤SB，其中将液体B供给到所述半导体晶片的表面，其中步骤SB在步骤SA之后实施，其中液体B为pH值小于6的液体，以及执行步骤SC，其中将液体C供给到所述半导体晶片的表面，其中步骤SC在步骤SB之后实施，其中液体C为具有至少10ppm的氟浓度的酸性水溶液。

主权项

用于处理半导体晶片的方法，该方法包括：提供堆叠，所述堆叠包括：包括第一氧化物材料的高k层，其中所述第一氧化物材料包含铪和/或锆，以及包括第二氧化物材料的覆盖层，其中所述覆盖层沉积在所述高k层的上部，其中所述第二氧化物材料包含镧、镧系元素和/或铝，执行步骤SA，其中将液体A供给到所述半导体晶片的表面，其中液体A为包含氧化剂的水溶液，执行步骤SB，其中将液体B供给到所述半导体晶片的表面，其中步骤SB在步骤SA之后实施，其中液体B为pH值小于6的液体，以及执行步骤SC，其中将液体C供给到所述半导体晶片的表面，其中步骤SC在步骤SB之后实施，其中液体C为具有至少10ppm的氟浓度的酸性水溶液。