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发明名称
基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器
摘要
一种基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器,在MMI的一侧或两侧制备高反射面可以缩小MMI在输入输出方向上的尺寸,即不需要是自成像距离的整数倍,而可以是自成像距离整数倍的1/n(n为整数)。发明另一方面涉及利用新型的MMI结构制备具有单纵横模输出的高功率激光器;其波导层包括单模和多模波导层。多模波导层中含有有源多模干涉区域(AMMI),即多模有源层。并在输出激光的单模波导层中制备有光栅,可以防止在AMMI发生跳模现象以及线宽因子的增加,因此可以实现单纵横模的稳定输出。
申请公布号
CN102457018A
申请公布日期
2012.05.16
申请号
CN201110242658.X
申请日期
2011.08.21
申请人
中国科学院福建物质结构研究所
发明人
苏辉
分类号
H01S5/20(2006.01)I
主分类号
H01S5/20(2006.01)I
代理机构
代理人
主权项
一种高功率、单纵横模半导体激光器,其波导层包括单模和多模波导层;多模波导层中含有有源多模干涉区域,即多模有源层;其特征在于,多模干涉区域的侧面制备高反射面。
地址
350002 福建省福州市杨桥西路155号
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