| 发明名称 | 对半导体衬底凹陷区进行等离子体放电预处理的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种对半导体衬底凹陷区进行等离子体放电预处理的方法，其特征在于，采用含氟气体与H2的混合气体对半导体衬底进行预处理。本发明还提供了一种形成半导体器件结构的方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有栅极，半导体衬底中且在栅极两侧具有凹陷区；采用含氟气体与H2的混合气体对凹陷区进行等离子体放电预处理；在凹陷区中形成SiGe或SiC。根据本发明，通过采用含氟气体与H2在低温下对凹陷区进行等离子体放电预处理，能够避免由于硅原子的迁移造成凹陷区的形变，从而保证作用于沟道区的应力达到预定值，并保证了半导体器件的可靠性，保证其良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN102456546A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201010524967.1 | 申请日期 | 2010.10.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C23C16/32(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种对半导体衬底凹陷区进行等离子体放电预处理的方法，其特征在于，采用含氟气体与H2的混合气体对所述半导体衬底进行预处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||