发明名称 |
一种阴离子交换膜及其制备和应用 |
摘要 |
本发明涉及一种阴离子交换膜及其制备方法和应用,提出一种侧链上含有多氮杂环正离子作为导离子基团的阴离子交换膜及其制备方法。该类阴离子膜的制备采用先成盐后制膜的路线,成盐过程为均相反应,反应容易进行;浇铸成膜过程中容易形成微相分离结构,有利于提高膜的电导性能,所得阴离子膜具有较高的电导率和稳定性。 |
申请公布号 |
CN102451620A |
申请公布日期 |
2012.05.16 |
申请号 |
CN201010524782.0 |
申请日期 |
2010.10.29 |
申请人 |
中国科学院大连化学物理研究所 |
发明人 |
张华民;张凤祥;曲超 |
分类号 |
B01D71/06(2006.01)I;B01D67/00(2006.01)I;B01J41/12(2006.01)I;C08J7/12(2006.01)I;H01M8/02(2006.01)I;H01M2/16(2006.01)I |
主分类号 |
B01D71/06(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 |
代理人 |
马驰 |
主权项 |
一种阴离子交换膜,其特征在于:膜以可卤甲基化聚合物作为主链,侧链上含有多氮杂环正离子作为导离子基团,多氮杂环正离子为五元杂环正离子或苯并五元杂环正离子中的一种或多种,且杂环上带有2‑4个氮原子。 |
地址 |
116023 辽宁省大连市中山路457号 |