| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法，其中公开了具有栅电极和氧化物半导体层以栅极绝缘层插入该栅电极和氧化物半导体层之间的方式设置并且源/漏电极电气连接至氧化物半导体层的结构的薄膜晶体管的制造方法，该方法包括：通过使用溅射，在源/漏电极、栅极绝缘膜和氧化物半导体层中的任何一个上依次沉积作为保护膜的氧化铝(Al2O3)层和铝(Al)层。 | ||
| 申请公布号 | CN102456581A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201110355115.9 | 申请日期 | 2011.10.28 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 石井孝英;大岛宜浩 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制造方法，所述薄膜晶体管具有栅电极和氧化物半导体层被设置为栅极绝缘膜插入所述栅电极和所述氧化物半导体层之间、并且源电极/漏电极电连接至所述氧化物半导体层的结构，所述方法包括：通过使用溅射，在所述源电极/漏电极、所述栅极绝缘膜和所述氧化物半导体层中的任何一个上依次连续沉积氧化铝(Al2O3)层和铝(Al)层，其中，所述氧化铝层作为保护膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||