发明名称 |
延伸电极及含有其的等离子体斜面蚀刻设备 |
摘要 |
一种延伸电极,其是用于在半导体衬底工艺中使用的等离子体斜面蚀刻器。所述延伸电极包括在环形铝制体上的等离子体暴露截锥面。所述铝制体能够在阳极化之前被粗糙化并且用诸如氧化钇之类的陶瓷材料进行涂覆。所述延伸电极具有增强的耐用性和蚀刻率。本申请还涉及一种等离子体斜面蚀刻设备,其是用于清洁具有8英寸或更大的直径的半导体衬底的斜面边缘,包括作为上延伸电极的前述的延伸电极,其被设置高于所述半导体衬底的外圆周。 |
申请公布号 |
CN202221752U |
申请公布日期 |
2012.05.16 |
申请号 |
CN201120046096.7 |
申请日期 |
2011.02.17 |
申请人 |
朗姆研究公司 |
发明人 |
格雷戈里·塞克斯顿;保罗·阿庞特 |
分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;C23F1/08(2006.01)I;C30B33/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I |
代理机构 |
上海胜康律师事务所 31263 |
代理人 |
周文强;李献忠 |
主权项 |
延伸电极,其是用于在半导体衬底工艺中使用的等离子体斜面蚀刻器,其中,所述等离子体从半导体衬底的斜面边缘移除副产品沉积物,所述延伸电极包括:环形体,其具有外圆周、内圆周、安装表面、以及从所述外圆周延伸到所述内圆周的等离子体暴露的截锥面,所述延伸电极可用于在对所述斜面蚀刻器的所述半导体衬底的所述斜面边缘进行清洁期间产生等离子体。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |