| 发明名称 | 经囊封相变单元结构及方法 | ||
| 摘要 | 本文中描述与相变单元结构相关联的方法及装置。在一个或一个以上实施例中，一种形成相变单元结构的方法包含：形成包含底部电极的衬底突出部；在所述衬底突出部上形成相变材料；在所述相变材料上形成导电材料；及移除所述导电材料的一部分及所述相变材料的一部分以形成经囊封堆叠结构。 | ||
| 申请公布号 | CN102460684A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201080028123.6 | 申请日期 | 2010.06.10 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 刘峻 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种形成相变单元结构的方法，所述方法包括：形成包含底部电极的衬底突出部；在所述衬底突出部上形成相变材料；在所述相变材料上形成导电材料；及移除所述导电材料的一部分及所述相变材料的一部分以形成经囊封堆叠结构。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||