| 发明名称 | 制备微电子器件凸点多组分钎料层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备微电子器件凸点多组分钎料层的方法。该方法中，微电子器件的基底上具有金属柱凸点，包括：在金属柱凸点上电镀主组分钎料层；在主组分钎料层上沉积微组分层；在预设温度下对微电子器件进行回流，促使微组分层溶入主组分钎料层，从而在金属柱凸点上形成多组分钎料层。本发明简化了制备微电子器件凸点多组分钎料层的工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN102456630A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201010527576.5 | 申请日期 | 2010.10.27 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 于大全;宋崇申 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种制备微电子器件凸点多组分钎料层的方法，其特征在于，所述微电子器件的基底上具有金属柱凸点，该方法包括：在所述金属柱凸点上制备主组分钎料层；在所述主组分钎料层上沉积微组分层；在预设温度下对所述微电子器件进行回流，促使所述微组分层溶入所述主组分钎料层，在所述金属柱凸点上形成所述多组分钎料层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||