发明名称 功率半导体装置
摘要 本发明提供在功率半导体元件正上方能将外部端子引绕到所希望的位置而实现小型化的功率半导体装置。具有:功率半导体元件(5),背面与绝缘层(2)上的布线图形(3)接合,在与背面对置的表面具有表面电极;筒状的连通部(6),底面接合到功率半导体元件(5)的表面电极上及/或布线图形(3)上;传递模塑树脂(7),具有使连通部(6)上表面露出的凹部(20、12),除连通部6上表面外,覆盖绝缘层(2)、布线图形(3)、功率半导体元件(5);一端插入连通部(6)上表面、另一端引向上方的外部端子(11、10),至少一个外部端子(10)在两端部间具有L形弯折的弯折区域(21),弯折区域(21)掩埋于传递模塑树脂(7)的凹部(12)。
申请公布号 CN102456652A 申请公布日期 2012.05.16
申请号 CN201110215068.8 申请日期 2011.07.29
申请人 三菱电机株式会社 发明人 冈诚次;上田哲也
分类号 H01L23/488(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I 主分类号 H01L23/488(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 闫小龙;王忠忠
主权项 一种功率半导体装置,其特征在于,具有:功率半导体元件,背面与基底上的布线图形接合,并且,在与所述背面对置的表面具有表面电极;筒状的连通部,底面接合在所述功率半导体元件的所述表面电极上以及/或者所述布线图形上;传递模塑树脂,具有使所述连通部的上表面露出的凹部,除了所述连通部的上表面以外,覆盖所述基底、所述布线图形、所述功率半导体元件;以及外部端子,一端插入到所述连通部的上表面,另一端被引向上方,至少一个所述外部端子在两端部间具有L形弯折的弯折区域,所述弯折区域掩埋在所述传递模塑树脂的所述凹部中。
地址 日本东京都