| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体基底；在半导体基底上形成栅层；在栅层上形成阻挡层；对阻挡层和栅层刻蚀，形成阻挡图形和栅极；对半导体基底和栅极进行清洗；在栅极的两侧的半导体基底中形成源极区和漏极区；去除所述阻挡图形。该方法通过在栅层上层形成一层阻挡层，从而在形成栅极两侧的半导体基底中形成源极区和漏极区的过程中，可以阻挡栅层下的半导体基底中被注入杂质离子，从而改善源极区和漏极区之间形成漏电流的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101651103B | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN200810118407.9 | 申请日期 | 2008.08.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 韩秋华;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体基底；在半导体基底上形成栅层；在栅层上形成阻挡层；对阻挡层和栅层刻蚀，形成阻挡图形和栅极；对所述刻蚀后形成的阻挡图形和栅极进行清洗；在所述清洗后的栅极的两侧的半导体基底中形成源极区和漏极区；去除所述阻挡图形；其中，所述阻挡层的材料为氧化铪。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||