薄膜太阳电池的膜系、薄膜太阳电池及其制造方法

摘要

本发明公开了一种薄膜太阳电池的膜系，并公开了采用该膜系的薄膜太阳电池及其制造方法。本发明膜系包括一个p-i-n光电单元，所述p-i-n光电单元的p层上设置有重掺杂的P+层，所述p-i-n光电单元的n层上设置有重掺杂的N+层，该膜系结构为P+/p-i-n/N+。重掺杂的P+层和N+层有减低带电体复合性和滞留性的作用，同时因减低i层中电场的扭曲度而增加了电洞与电子在半导体中的漂移速度。本发明薄膜太阳电池的膜系光电转换率高，成本低，本发明薄膜太阳电池的膜系的光电转换率达7.5％。

主权项

一种薄膜太阳电池的膜系，其特征在于，该膜系包括一个p‑i‑n光电单元，所述p‑i‑n光电单元的p层上设置有重掺杂的P+层，所述p‑i‑n光电单元的n层上设置有重掺杂的N+层，该膜系结构为P+/p‑i‑n/N+，所述膜系为非晶硅膜系或微晶硅膜系，所述P+层的掺杂物的浓度与硅原子的浓度比为(5～100)∶100000，所述N+层的掺杂物的浓度与硅原子的浓度比为(5～100)∶100000。