利用弯液面的蚀刻后晶片表面清洁

摘要

本发明揭示了一种半导体晶片表面清洗方法。提供用于去除晶片表面上的污染物的第一清洗溶液到晶片表面。去除晶片表面上的所述第一清洗溶液和一些污染物。接下来，提供氧化剂溶液到晶片表面。氧化剂溶液在残留污染物材料上形成氧化层。氧化剂溶液再从晶片表面去除掉，接着，提供第二清洗溶液到晶片表面。第二清洗溶液从晶片表面去除。所述第二清洗溶液配置为能充分去除氧化层与残留污染物。

主权项

一种清洗半导体晶片的方法，包括：提供包括多个源入口和多个源出口的接近头，该接近头包括形成该多个源入口的头表面；靠近晶片表面移动该接近头；通过所述多个源入口将氧化剂溶液提供到晶片表面，该氧化剂溶液在该接近头的头表面和该晶片表面之间形成氧化剂弯液面，所述氧化剂溶液进一步在晶片表面上的一种或多种污染物材料上形成氧化层；通过所述多个源出口将氧化剂溶液从晶片表面去除，在施加该氧化剂溶液过程中执行去除该氧化剂溶液从而在施加和去除该氧化剂溶液过程中该氧化剂弯液面保留在该头表面和该晶片表面之间；实施去离子水冲洗作业；通过第二接近头的多个源入口将清洗溶液提供到晶片表面，第二接近头具有头表面；以及通过该第二接近头的多个源出口将清洗溶液从晶片表面去除，在施加该清洁溶液过程中执行去除该清洁溶液以在该头表面和该晶片表面之间限定清洁弯液面，以及该清洗溶液限定为能利用该清洁弯液面将晶片表面上的所述氧化层随同一种或多种污染物材料充分去除。