发明名称 |
半导体器件、半导体器件制造方法和使用半导体器件的电路器件 |
摘要 |
公开一种尤其在倒装法装配中实现细节距、高产量和高连接可靠性的半导体器件。也提供一种用于制造该半导体器件的方法和使用该半导体器件的电路器件。该半导体器件具有:电极;绝缘部分,在电极上具有开口;突出部分,形成于电极上;保护部分,形成于突出部分的周界并且电隔离突出部分;以及键合部分,通过与突出部分间隔开来形成于保护部分上。突出部分的上表面、保护部分的上表面和键合部分的上表面形成相同平面。 |
申请公布号 |
CN102460670A |
申请公布日期 |
2012.05.16 |
申请号 |
CN201080028443.1 |
申请日期 |
2010.06.23 |
申请人 |
日本电气株式会社 |
发明人 |
难波兼二 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
吴立明;郑菊 |
主权项 |
一种具有电极的半导体器件,其特征在于包括:绝缘部分,在所述电极上具有开口;突出部分,形成于所述电极上;保护部分,形成于所述突出部分的周界,并且电隔离所述突出部分;以及键合部分,形成于所述保护部分上与所述突出部分间隔开,其中:所述突出部分的上表面、所述保护部分的上表面和所述键合部分的上表面形成相同平面。 |
地址 |
日本东京都 |