| 发明名称 | 含咔唑和噻吩吡咯二酮单元的有机半导体材料及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明属于光电子材料领域，其公开了一种含咔唑和噻吩吡咯二酮单元的有机半导体材料及其制备方法和应用；该有机半导体材料具有通式(I)，<img file="dsa00000323430300011.GIF" wi="732" he="360" />式中：R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>为C<sub>1</sub>-C<sub>20</sub>的烷基；n的取值范围为大于1小于等于100的整数。与现有技术相比，本发明通过引入烷基提高产物的溶解性和分子量，以实现可旋涂的有机半导体材料或可旋涂的寡聚物；由咔唑类单体和噻吩吡咯二酮类单体构成的有机半导体材料能够形成一种很强的给体-受体结构，一方面有利于提高了材料的稳定性，另一方面有利于降低材料的能带隙，从而扩大太阳光吸收范围，提高光电转化效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102453230A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201010523560.7 | 申请日期 | 2010.10.27 |
| 申请人 | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 | 发明人 | 周明杰;黄杰;刘辉 |
| 分类号 | C08G61/12(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01S5/36(2006.01)I | 主分类号 | C08G61/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 何平 |
| 主权项 | 1.下述通式(I)的含咔唑和噻吩吡咯二酮单元的有机半导体材料：<img file="FSA00000323430500011.GIF" wi="730" he="365" />式中：R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>分别为C<sub>1</sub>-C<sub>20</sub>的烷基；n的取值范围为大于1小于等于100的整数。 | ||
| 地址 | 518100 广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层 | ||