发明名称 |
具有偏压材料及背侧阱的成像器 |
摘要 |
背照式图像传感器包括一个或一个以上触点植入区,所述一个或一个以上触点植入区安置成邻近于传感器层的背侧。包括但不限于导电遮光罩的导电材料安置于所述传感器层的所述背侧上方。背侧阱形成于所述传感器层中邻近于所述背侧,且绝缘层安置于所述背侧的表面上方。形成于所述绝缘层中的触点将所述导电材料电连接到相应的触点植入区。所述触点植入区的至少一部分布置成对应于一个或一个以上像素边缘的形状。 |
申请公布号 |
CN102460702A |
申请公布日期 |
2012.05.16 |
申请号 |
CN201080028850.2 |
申请日期 |
2010.06.16 |
申请人 |
全视科技有限公司 |
发明人 |
约翰·P·麦卡滕;克里斯蒂安·亚历山德鲁·蒂瓦鲁斯;约瑟夫·苏马 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
沈锦华 |
主权项 |
一种背照式图像传感器,其包括多个像素,所述图像传感器包含:传感器层,其具有第一导电性类型,所述传感器层具有前侧及与所述前侧相对的背侧;绝缘层,其安置于所述背侧上方;一个或一个以上触点,其安置于所述绝缘层中;背侧阱,其具有第二导电性类型,所述背侧阱形成于所述传感器层中邻近于所述背侧;一个或一个以上触点植入区,其具有所述第二导电性类型,所述一个或一个以上触点植入区形成于所述背侧阱及传感器层中且接触安置于所述绝缘层中的相应触点,其中每一触点植入区具有比所述背侧阱的掺杂物浓度高的掺杂物浓度,且每一触点植入区将相应触点电连接到所述背侧阱;及导电材料,其上覆于所述绝缘层上且具有形状,其中每一触点将所述导电材料电连接到相应的触点植入区,且其中所述触点植入区的至少一部分布置成对应于一个或一个以上像素边缘的形状。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |