发明名称 |
半导体基板的制造方法 |
摘要 |
本发明在硅基板10的主面上使SiGe混晶的缓冲层及Ge外延膜生长。在Ge外延膜11中,虽然高密度的缺陷从与Si基板10的界面被导入,但是施加700~900℃的热处理,来使贯穿位错12变化成为在Si基板界面附近的环状位错缺陷12’。接着,对形成有离子注入层的Ge外延膜11和支撑基板20的至少一方的主面,施加以表面净化或表面活化等作为目的的等离子体处理或臭氧处理,然后使主面之间密接而贴合。对贴合界面施加外部冲击,且沿着氢离子注入界面13进行Ge外延膜的剥离而得到Ge薄膜14,进而,若对该Ge薄膜14的表面施加最后表面处理来除去起因于氢离子注入的损伤时,能够得到其表面具有Ge薄膜14的GeOI基板。 |
申请公布号 |
CN101256934B |
申请公布日期 |
2012.05.16 |
申请号 |
CN200810005732.4 |
申请日期 |
2008.02.04 |
申请人 |
信越化学工业株式会社 |
发明人 |
秋山昌次;久保田芳宏;伊藤厚雄;田中好一;川合信;飞坂优二 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
高龙鑫 |
主权项 |
一种半导体基板的制造方法,其特征在于,具备以下步骤:步骤A,在硅基板上通过化学气相沉积法外延生长Ge膜;步骤B,在700~900℃的温度范围,对该Ge膜施加热处理;步骤C,从该Ge膜的表面侧注入氢离子;步骤D,对该Ge膜和支撑基板的至少一方的主面,施加表面活化处理;步骤E,将该Ge膜的主面与该支撑基板的主面贴合,并且该贴合是在100℃以上、400℃以下的温度范围内进行;及步骤F,对该Ge膜与该支撑基板的贴合界面赋予外部冲击,并沿着该Ge膜的氢离子注入界面将Ge结晶剥离,而在该支撑基板的主面上形成Ge薄膜,并且,上述步骤A~步骤F是按照从步骤A至步骤F的顺序进行的。 |
地址 |
日本东京 |