| 发明名称 | 薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | (1)公开了薄膜晶体管，其包括元件，即源电极、漏电极、栅电极、沟道层和栅极绝缘膜，薄膜晶体管的特征是沟道层由掺杂有钨和锌和/或锡的氧化铟膜形成。(2)公开了双极性薄膜晶体管，其包括元件，即源电极、漏电极、栅电极、沟道层和栅极绝缘膜，双极性薄膜晶体管的特征是沟道层是有机材料膜和金属氧化物膜的层叠体，金属氧化物膜包含掺杂有钨、锡和钛中的至少一种的铟且具有预先控制的电阻率。(3)公开了用于制造薄膜晶体管的方法，晶体管包括元件，即源电极、漏电极、栅电极、沟道层和栅极绝缘膜，制造薄膜晶体管的方法的特征是至少沟道层或沟道层的一部分是使用含铟靶材在不加热基板的情况下通过溅射处理形成金属氧化物膜而形成的，在基板上形成上述元件之后执行热处理。 | ||
| 申请公布号 | CN102460712A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201080026144.4 | 申请日期 | 2010.04.16 |
| 申请人 | 株式会社普利司通 | 发明人 | 椎野修;杉江薰;岩渊芳典 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其包括三个电极以及沟道层和栅极绝缘膜这些元件，所述三个电极是源电极、漏电极和栅电极，其中，所述沟道层由掺杂有钨和锌和/或锡的氧化铟膜形成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||