对具有二极管的交叉点非易失性存储器单元的写入方法

摘要

一种存储器系统，包括：X线、第一Y线、第二Y线、沿X线延伸的第一类型的半导体区域、在第一Y线和第一类型的半导体区域之间的第一转换材料和第二类型的第一半导体区域、在第二Y线和第一类型的半导体区域之间的第二转换材料和第二类型的第二半导体材料以及控制电路。控制电路与X线、第一Y线以及第二Y线进行通信。控制电路通过使第一电流从第二Y线经过第一转换材料、第二转换材料、第一类型的半导体区域、第二类型的第一半导体区域和第二类型的第二半导体区域流到第一Y线，来将第一转换材料的编程状态转变成第一状态。

主权项

一种对集成电路存储器系统的第一存储元件进行编程的方法，所述集成电路存储器系统包括所述第一存储元件和第二存储元件，所述第一存储元件连接在X线和第一Y线之间，所述第二存储元件连接在所述X线和第二Y线之间，所述方法包括：使所述第一Y线和所述第二Y线之间流过第一电流，以引起所述第一存储元件将状态改变成第一状态。