Verfahren zur Herstellung von Transistoren mit Metallgateelektrodenstrukturen mit großemε, die vor den Drain/Source-Gebieten auf der Grundlage eines Opferkohlenstoffabstandshalters hergestellt werden

摘要

Verfahren mit: Bilden einer Gateelektrodenstruktur eines Transistors über einem Halbleitergebiet eines Halbleiterbauelements, wobei die Gateelektrodenstruktur eine Gateisolationsschicht mit einem Gatedielektrikumsmaterial mit großem &egr;, ein auf der Gateisolationsschicht gebildetes metallenthaltendes Deckmaterial, ein über dem Deckmaterial gebildetes Elektrodenmaterial, eine über dem Elektrodenmaterial gebildete dielektrische Deckschicht und eine Seitenwandabstandshalterstruktur aufweist; Bilden eines Opferkohlenstoffabstandhalters an der Seitenwandabstandshalterstruktur; Entfernen der dielektrischen Deckschicht unter Anwendung des Opferkohlenstoffabstandshalters als &egr; in Ätzstoppmaterial zum Schützen der Seitenwandabstandshalterstruktur; und Entfernen des Opferkohlenstoffabstandshalters.