自对准局部互连工艺中对于栅极的选择性局部互连

摘要

一种半导体装置制造工艺，其包括使用硬掩模在半导体衬底上形成晶体管的栅极。选择性地去除所述栅极上的一个或多个所选区域中的所述硬掩模。去除所述所选区域中的所述硬掩模可以让所述栅极穿过实质上位于所述晶体管上的至少一个绝缘层而连接到上部金属层。将导电材料沉积于穿过所述至少一个绝缘层的一个或多个沟槽中。所述导电材料在所述所选区域中的至少一个区域中形成对于所述栅极的局部互连。

主权项

一种半导体装置制造工艺，其包括：选择性地去除在半导体衬底上的晶体管栅极上的一个或多个所选区域中的硬掩模，其中去除所述所选区域中的所述硬掩模可以让所述栅极穿过实质上位于所述晶体管上的至少一个绝缘层连接到上部金属层；以及将导电材料沉积于穿过所述至少一个绝缘层的一个或多个沟槽中，其中所述导电材料在所述所选区域中的至少一个区域中形成对于所述栅极的局部互连。