| 发明名称 | 硼膜界面工程 | ||
| 摘要 | 一种沉积含硼衬里层于基材上的方法，涉及双层的形成，该双层包括起始层，该起始层包括阻障物材料以抑制硼从该双层到下方基材内的扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN102460679A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201080027470.7 | 申请日期 | 2010.06.15 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | M·巴尔塞努;夏立群;D·R·威蒂;陈滢 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/76(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆嘉;张欣 |
| 主权项 | 1.一种在制程腔室中沉积双层衬里于基材上的沟道中的方法，该方法包含下列步骤：形成起始层，该起始层具有小于或约<img file="FPA00001481784300011.GIF" wi="91" he="47" />的厚度，并且包含选自从氮与碳构成的元素群组中的至少一种；以及形成含硼层于该起始层上；其中该起始层减少硼从该含硼层到该基材内的扩散。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||