半导体发光装置

摘要

本发明的半导体发光装置包括由n型半导体层、有源层和p型半导体层依次层叠而成的层叠体，配置在p型半导体层上的透明电极，配置在透明电极上的电极绝缘膜，配置在电极绝缘膜上且通过贯穿电极绝缘膜、透明电极、p型半导体层和有源层而设置的n侧开口部连接n型半导体层的n侧电极，在电极绝缘膜上与n侧电极隔开配置且通过设置在电极绝缘膜上的条状p侧开口部连接透明电极的p侧电极，以及在电极绝缘膜内部或在透明电极与电极绝缘膜之间、与层叠体的上表面相对地配置且将从有源层出射的光反射的反射层。

主权项

一种半导体发光装置，其特征在于包括：由n型半导体层、有源层和p型半导体层依次层叠而成的层叠体；配置在所述p型半导体层上的透明电极；配置在所述透明电极上的电极绝缘膜；n侧电极，其配置在所述电极绝缘膜上，通过贯穿所述电极绝缘膜、所述透明电极、所述p型半导体层和所述有源层而设置的n侧开口部与所述n型半导体层连接；p侧电极，其在所述电极绝缘膜上与所述n侧电极隔开配置，通过设置在所述电极绝缘膜上的条状p侧开口部与所述透明电极连接；以及反射层，其在所述电极绝缘膜内部或在所述透明电极与所述电极绝缘膜之间、与所述层叠体的上表面相对地配置，对从所述有源层出射的光进行反射。