具有局部的极薄绝缘体上硅沟道区的半导体器件

摘要

具有局部的极薄绝缘体上硅沟道区的半导体器件。形成晶体管器件的方法包括在SOI起始衬底上形成虚拟栅极叠层结构，所述SOI衬底包括本体层、本体层上的全局BOX层和全局BOX层上的SOI层。在源极和漏极区形成完全穿过SOI导和全局BOX层的部分的自对准沟槽。在源极和漏极区中外延再生硅，与全局BOX层相邻，在外延再生的硅中重建局部BOX层。局部BOX层的顶面低于全局BOX层的顶面。与沟道区相邻，在源极和漏极区中形成嵌入式源极和漏极应力源。在源极和漏极区上形成硅化物触点。除去虚拟栅极叠层结构，并形成最终的栅极叠层结构。

主权项

一种形成晶体管器件的方法，所述方法包括：在绝缘体上硅(SOI)起始衬底上形成虚拟栅极叠层结构，所述SOI衬底包括本体层、本体层上的全局BOX层、和全局BOX层上的SOI层，所述SOI层具有初始厚度；形成完全穿过所述SOI层和全局BOX层的对应于源极和漏极区的位置处的部分的自对准沟槽；在源极和漏极区中外延再生硅；与全局BOX层相邻，在外延再生的硅中重建局部BOX层，其中，所述局部BOX层的顶面低于全局BOX层的顶面；与对应于沟道区的一部分SOI层相邻，在源极和漏极区中形成嵌入式源极和漏极应力源；在源极和漏极区上形成硅化物触点；除去虚拟栅极叠层结构；以及形成最终的栅极叠层结构。