IGBT以及制造IGBT的方法

摘要

在非有效区(32)的至少一部分中未形成有集电区(44)，在非有效区(32)中绝缘膜(64)形成在IGBT(2)的正面上。在未形成有集电区(44)的该部分中，集电极(42)和缓冲层(45)彼此接触。由于缓冲层(45)和集电区(44)的导电类型彼此不同，没有电荷从集电极(42)进入缓冲层(45)。从而，抑制了电荷进入在非有效区(32)中的部分处的漂移区(46)，这缓解了在半导体基板(4)中的电场集中。另外，在IGBT(2)中，半导体基板(4)和集电极(42)彼此接触，并且即使在未形成有集电区(44)的范围内的也不阻碍到集电极(42)的传热。因此，缓解了在半导体基板(4)中的发热的集中。

主权项

一种纵型绝缘栅双极性晶体管(302)，其特征在于，包括：半导体基板(4)，其中至少形成有发射区(50)、体区(48)、漂移区(46)以及集电区(44)；发射极(20a，20b，20c，20d，20e)，其形成在所述半导体基板(4)的正面上；以及集电极(342)，其形成在所述半导体基板(4)的背面上，其中所述发射区(50)为第一导电型，其在邻近于所述半导体基板(4)的所述正面的范围内形成，并且与所述发射极(20a，20b，20c，20d，20e)接触，所述集电区(44)为第二导电型，其在邻近于所述半导体基板(4)的所述背面的范围内形成，并且与所述集电极(342)接触，所述漂移区(46)为所述第一导电型，并且与所述集电区(44)接触，所述体区(48)为所述第二导电型，并且使所述发射区(50)和所述漂移区(46)彼此分离，在所述半导体基板(4)的平面图中，在围绕有效区(30)的非有效区(32)的至少一部分中未形成有所述集电区(44)，并且所述漂移区(46)和所述集电极(342)在所述非有效区(32)中的未形成有所述集电区(44)的所述部分处彼此直接接触，在所述有效区(30)中，所述半导体基板(4)的所述正面和所述发射极(20a，20b，20c，20d，20e)彼此接触，所述集电极(342)包括与所述集电区(44)接触的第一部分(342b)和与所述漂移区(46)接触的第二部分(342a)，并且所述第二部分(342a)的热阻低于所述第一部分(342b)的热阻。