| 发明名称 |
High current duoplasmatron having an apertured anode positioned in the low pressure region |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3408283(A) |
申请公布日期 |
1968.10.29 |
| 申请号 |
US19660579599 |
申请日期 |
1966.09.15 |
| 申请人 |
KENNECOTT COPPER CORPORATION |
发明人 |
CHOPRA KASTURI L.;RANDLETT MYRON RONALD |
| 分类号 |
C23C14/46;H01J27/10;H01J37/08;H01J37/305 |
主分类号 |
C23C14/46 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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