发明名称 |
离子植入系统之离子束入射角侦测器 |
摘要 |
本发明系利于半导体装置制造,其乃藉着经由一种离子束入射角侦测器而监视及修正于离子植入程序期间的角度误差。此外,本发明系利于半导体装置制造,其乃藉着在离子植入制程之前对于一入射离子束来校准一制程碟,而无须测量于晶圆的植入结果。 |
申请公布号 |
TWI364051 |
申请公布日期 |
2012.05.11 |
申请号 |
TW093109026 |
申请日期 |
2004.04.01 |
申请人 |
艾克塞利斯科技公司 美国 |
发明人 |
罗纳德N 瑞斯;麦可A 葛瑞夫;汤玛士 帕瑞尔;布莱恩S 弗瑞尔 |
分类号 |
H01J37/317 |
主分类号 |
H01J37/317 |
代理机构 |
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代理人 |
桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
主权项 |
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地址 |
美国 |