发明名称 具较佳胞稳定性之静态随机存取记忆体阵列及其方法
摘要 具有较佳单元稳定度之一种互补式金氧半导体(CMOS)静态存取记忆体(SRAM)单元阵列、包含此阵列的一积体晶片、以及存取在此阵列中之单元的一方法。连接至阵列中的一半所选单元之位元线在单元存取过程中系浮接,以获得较佳的单元稳定度。
申请公布号 TWI364040 申请公布日期 2012.05.11
申请号 TW094131068 申请日期 2005.09.09
申请人 万国商业机器公司 美国 发明人 允H 陈;拉吉夫V 乔许;多纳W 帕拉斯
分类号 G11C5/06;G11C11/412 主分类号 G11C5/06
代理机构 代理人 蔡玉玲 台北市大安区敦化南路2段218号5楼A区
主权项
地址 美国