化合物半导体磊晶基板

摘要

本发明系含有基板及形成于该基板上依顺序为次集极层、集极层、基极层、射极层及接触层之化合物半导体磊晶基板，上述基板与上述次集极层之间具有含氧层之上述化合物半导体磊晶基板。