| 发明名称 |
PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE STRUCTURE MULTICOUCHES |
| 摘要 |
<p>Le procédé de formation d'une structure multicouches sur un substrat comprend la prévision d'un empilement comprenant successivement une couche de blocage de trous d'électrons, une première couche 6 en matériau semi-conducteur dopé de type N ayant une concentration en éléments dopants supérieure ou égale à 10 atomes/cm ou dopé de type P, et une deuxième couche en matériau semi-conducteur de nature différente. Un plot de contact électrique latéral 12 entre la première couche 6 et le substrat est réalisé et le matériau de la première couche est soumis à un traitement anodique dans un électrolyte 18.</p> |
| 申请公布号 |
FR2967294(A1) |
申请公布日期 |
2012.05.11 |
| 申请号 |
FR20100004405 |
申请日期 |
2010.11.10 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES;STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS |
发明人 |
DESPLOBAIN SEBASTIEN;GAILLARD FREDERIC XAVIER;MORAND YVES;NEMOUCHI FABRICE |
| 分类号 |
H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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