发明名称 PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D'UNE STRUCTURE MULTICOUCHE
摘要 <p>L'invention concerne un procédé de traitement d'une structure multicouche (211) comprenant une plaque (208) collée sur un substrat (210), la plaque comprenant au moins une couche supérieure (202), une couche inférieure (201) et une couche d'oxyde enterrée (204) disposée entre la couche supérieure et la couche inférieure, une couche d'oxyde de collage (206a) étant disposée entre la plaque et le substrat, le procédé comprenant une étape ultérieure de gravure chimique de la plaque et, avant cette étape ultérieure, les étapes successives suivantes : - un détourage mécanique partiel de la couche supérieure ; - une première gravure chimique préliminaire ; - une première désoxydation partielle par gravure chimique à l'acide fluorhydrique ; - une seconde gravure chimique préliminaire ; et - une seconde désoxydation partielle par gravure chimique à l'acide fluorhydrique.</p>
申请公布号 FR2967295(A1) 申请公布日期 2012.05.11
申请号 FR20100059135 申请日期 2010.11.05
申请人 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES 发明人 VAUFREDAZ ALEXANDRE
分类号 H01L21/463;H01L21/465;H01L21/762 主分类号 H01L21/463
代理机构 代理人
主权项
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