Kristallherstellungsvorrichtung, mit derselben hergestellte Halbleitervorrichtung, und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit derselben

摘要

Eine Kristallherstellungsvorrichtung, mit welcher ein Kristall an einer gewünschten Position auf einem Substrat hergestellt werden kann, wird bereitgestellt. Eine Feder (2) hat ein Ende, welches an einem Halterahmen (1) befestigt ist, und ein anderes Ende, welches an einen magnetischen Körper (3) gekoppelt ist. Ein Ende des magnetischen Körpers (3) ist an die Feder gekoppelt, und das andere Ende ist an einen Kolben (6) gekoppelt. Eine Spule (4) ist um den magnetischen Körper (3) gewickelt und elektrisch zwischen einer Stromversorgungsschaltung (5) und einem Erdknoten (GND) verbunden. Der Kolben (6) hat einen geraden Abschnitt (61), der in einen Zylinder (7) eingeführt ist. Der Zylinder (7) hat eine hohle säulenförmige Form und ein kleines Loch (71) an seiner Bodenwand (7B). Der Zylinder (7) hält eine Siliziumschmelze (13). Ein Substrat (11) ist auf einem XY-Tisch (12) gegenüber dem kleinen Loch (71) im Zylinder (7) gelagert. Die Stromversorgungsschaltung (5) lässt einen pulsförmigen Strom durch die Spule (4) fließen, um den Kolben (6) in vertikaler Richtung (DR1) zu bewegen. Als Ergebnis wird ein Tröpfchen (14) von dem kleinen Loch (71) mit einer Anfangsgeschwindigkeit von 1,02 m/s auf das Substrat (11) ausgestoßen.