| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen von homogenen Oxidschichten auf Halbleiterkristallen |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1286872(B) |
申请公布日期 |
1969.01.09 |
| 申请号 |
DE1965S097992 |
申请日期 |
1965.07.05 |
| 申请人 |
SIEMENS AG |
发明人 |
PAMMER;ERICH DIPL.-CHEM. DR.;FOLKMANN;EDUARD DIPL.-ING. |
| 分类号 |
H01L21/316;(IPC1-7):B01J17/32 |
主分类号 |
H01L21/316 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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