| 发明名称 | 一种改进逻辑工艺中硅损失的多晶硅退火方法 | ||
| 摘要 | 本发明一种改进逻辑工艺中硅损失的多晶硅退火方法，包括：首先对多晶硅栅进行刻蚀，其中，对已经刻蚀过的多晶硅栅以及基底外表面进行氮气退火，利用经氮气退火工艺后的多晶硅栅以及基底使用次大气压化学气相沉积系统进行氧化层沉积。发明一种改进逻辑工艺中硅损失的多晶硅退火方法，有效的使通过氮气退火代替传统的热氧化来修复多晶硅栅刻蚀过后所造成的损害，从而改善了器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102446759A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201110265266.5 | 申请日期 | 2011.09.08 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 毛刚;刘格致;黄晓橹;陈玉文 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/324(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种改进逻辑工艺中硅损失的多晶硅退火方法，包括：首先对多晶硅栅进行刻蚀，其特征在于，对已经刻蚀过的多晶硅栅以及基底外表面进行氮气退火，利用经氮气退火工艺后的多晶硅栅以及基底使用次大气压化学气相沉积系统进行氧化层沉积。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||