| 发明名称 | 具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，其中第一场效应晶体管的沟道区域用作第二场效应晶体管的源极/漏极电极，第二场效应晶体管的沟道区域用作第一场效应晶体管的源极/漏极电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102446920A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201110295534.8 | 申请日期 | 2011.10.08 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金大益;吴容哲;黄有商;曹永丞;郑铉雨 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 屈玉华 |
| 主权项 | 一种半导体存储器件，包括：半导体衬底；半导体柱，从所述半导体衬底延伸，所述半导体柱包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第二区域位于所述第一区域与所述第三区域之间，所述第三区域位于所述第二区域与所述半导体衬底之间；第一栅极图案，设置在所述第二区域上，第一绝缘层在所述第一栅极图案与所述第二区域之间；以及第二栅极图案，设置在所述第三区域上，第二绝缘层在所述第二栅极图案与所述第三区域之间。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||