发明名称 |
多栅极晶体管制作方法及系统 |
摘要 |
本发明公开了多栅极晶体管制作方法及系统,以提高多栅极晶体管的性能。所述晶体管的各个栅极对应有各自的栅电介质层,该方法包括:当在制作当前栅电介质层和制作下一个栅电介质层之间,有多个能够用于清除相同待清除物质的清除流程时,采用所述多个清除流程中的部分清除流程,清除所述待清除物质;所述多个清除流程中,除所述部分清除流程外的其他清除流程,对各自后续流程的执行效果的影响能够忽略。 |
申请公布号 |
CN101656203B |
申请公布日期 |
2012.05.09 |
申请号 |
CN200810041880.1 |
申请日期 |
2008.08.19 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
何永根 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种多栅极晶体管的制作方法,所述晶体管的各个栅极对应有各自的栅电介质层;在制作当前栅电介质层和制作下一个栅电介质层之间,有多个能够用于清除相同待清除物质的清除流程;其特征在于,该制作方法包括:采用所述多个清除流程中的部分清除流程,清除所述待清除物质,所述多个清除流程中,除所述部分清除流程外的其他清除流程,对各自后续流程的执行效果的影响能够忽略。 |
地址 |
201203 上海市张江路18号 |