发明名称 多栅极晶体管制作方法及系统
摘要 本发明公开了多栅极晶体管制作方法及系统,以提高多栅极晶体管的性能。所述晶体管的各个栅极对应有各自的栅电介质层,该方法包括:当在制作当前栅电介质层和制作下一个栅电介质层之间,有多个能够用于清除相同待清除物质的清除流程时,采用所述多个清除流程中的部分清除流程,清除所述待清除物质;所述多个清除流程中,除所述部分清除流程外的其他清除流程,对各自后续流程的执行效果的影响能够忽略。
申请公布号 CN101656203B 申请公布日期 2012.05.09
申请号 CN200810041880.1 申请日期 2008.08.19
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 何永根
分类号 H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 主分类号 H01L21/28(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 屈蘅;李时云
主权项 一种多栅极晶体管的制作方法,所述晶体管的各个栅极对应有各自的栅电介质层;在制作当前栅电介质层和制作下一个栅电介质层之间,有多个能够用于清除相同待清除物质的清除流程;其特征在于,该制作方法包括:采用所述多个清除流程中的部分清除流程,清除所述待清除物质,所述多个清除流程中,除所述部分清除流程外的其他清除流程,对各自后续流程的执行效果的影响能够忽略。
地址 201203 上海市张江路18号