8英寸轻掺硅抛光片的抛光工艺

摘要

本发明涉及8英寸轻掺硅抛光片的抛光工艺。本工艺采用有蜡单面抛光系统，包括两次粗抛光、一次中抛光和一次精抛光；每次抛光分为四个阶段，粗抛光每个阶段的抛光压力设定在1.5～2.2bar范围内；粗抛光四个阶段的总抛光时间设定在8～11min范围内；中抛光每个阶段的抛光压力设定在1.2～2.0bar范围内；中抛光四个阶段的总抛光时间设定在7～10min范围内；精抛光每个阶段的抛光压力设定在0.5～1bar范围内，精抛光四个阶段的总抛光时间设定在7～10min范围内。采取本工艺，提高了轻掺硅抛光片表面几何参数等质量指标，其指标均达到和超过行业标准，从而解决了采用传统工艺不适宜对8英寸轻掺硅抛光片进行抛光的技术难题。

主权项

一种8英寸轻掺硅抛光片的抛光工艺，其特征在于：对8英寸轻掺硅抛光片进行两次粗抛光、一次中抛光、一次精抛光，共四次抛光过程；每次抛光过程分为四个阶段，其工艺步骤如下：（1）、粗抛光加工：采用粗抛机进行两次粗抛光，每次粗抛光四个阶段中每个阶段的抛光压力在1.5～2.2bar范围内进行调整设定，每次粗抛光四个阶段的总抛光时间在8～11min范围内进行调整设定；（2）、中抛光加工：采用中抛机进行一次中抛光，中抛光四个阶段中每个阶段的抛光压力在1.2～2.0bar范围内进行调整设定，中抛光四个阶段的总抛光时间在7～10min范围内进行调整设定；（3）、精抛光加工：采用精抛机进行一次精抛光，精抛光四个阶段中每个阶段的抛光压力在0.5～0.75bar范围内进行调整设定，精抛光四个阶段的总抛光时间设定在7min。