发明名称 |
一种用HF和冰乙酸配制的腐蚀液去除晶圆边缘氧化膜的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种用HF和冰乙酸配制的腐蚀液去除晶圆边缘氧化膜的方法,包括如下步骤:A、配制冰乙酸和HF的混合溶液,将其倒入滚轮式去边机的酸槽内;冰乙酸为98%,AR级;HF为40%-49%,AR级;配比为数据为,冰乙酸:HF=1:1至15:1;B、将装有晶圆硅片的片架装入滚轮式去边机,转动转轮,使转轮上布袋浸有的氢氟酸与硅片氧化膜边缘反应;C、取出片架,清洗,检验边缘去除效果,应用本发明的腐蚀液后的滚轮式去边技术,可以用于大规模集成电路及分立器件所用的抛光片的制备。该方法成本低,生产效率高,实用性强,是一种适用于大规模工业生产的去除背面边缘SiO2膜的技术。 |
申请公布号 |
CN102446736A |
申请公布日期 |
2012.05.09 |
申请号 |
CN201110420551.X |
申请日期 |
2011.12.15 |
申请人 |
天津中环领先材料技术有限公司 |
发明人 |
刘建伟;刘振福;董建斌;张俊生 |
分类号 |
H01L21/306(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/306(2006.01)I |
代理机构 |
天津中环专利商标代理有限公司 12105 |
代理人 |
莫琪 |
主权项 |
一种用HF和冰乙酸配制的腐蚀液去除晶圆边缘氧化膜的方法,其特征在于,用HF与冰乙酸混合配置腐蚀液替代传统的HF与水混合的腐蚀液进行晶圆边缘氧化膜去除处理,包括如下步骤: A 、配制冰乙酸和HF的混合溶液,将其倒入滚轮式去边机的酸槽内;冰乙酸为98%,AR级; HF为40%‑49%,AR级;配比为数据为,冰乙酸:HF=1:1至15:1;B 、将装有晶圆硅片的片架装入滚轮式去边机,转动转轮,使转轮上布袋浸有的氢氟酸与硅片氧化膜边缘发生反应; C 、取出片架,清洗,检验边缘去除效果。 |
地址 |
300384 天津市西青区华苑技术产业园区 |