发明名称 |
光伏器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及光伏器件及其制造方法。本发明的一个方面提供制造膜的方法。该方法包括:在包括氧的环境内提供包括半导体材料的靶;对该靶施加多个直流脉冲以形成脉冲直流等离子体;用该脉冲直流等离子体溅射该靶以将包括镉和硫的材料喷入该等离子体;以及将包括该材料的膜沉积到衬底上。该靶包括半导体材料,其中包括含镉和硫的半导体材料。 |
申请公布号 |
CN102447008A |
申请公布日期 |
2012.05.09 |
申请号 |
CN201110310788.2 |
申请日期 |
2011.09.30 |
申请人 |
通用电气公司 |
发明人 |
D·钟;G·帕塔萨拉蒂;R·A·小纳迪 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
张金金;王忠忠 |
主权项 |
一种制造膜的方法,其包括:在包括氧的环境内提供包括半导体材料的靶,其中所述半导体材料包括镉和硫;对所述靶施加多个直流脉冲以形成脉冲直流等离子体;用所述脉冲直流等离子体溅射所述靶以将包括镉和硫的材料喷入所述等离子体;以及将包括所述材料的膜沉积到衬底上。 |
地址 |
美国纽约州 |