一种多层金属-氮化硅-金属电容及其制作方法

摘要

一种多层金属-氮化硅-金属电容器，其特征在于，具有若干层低k值介质和氮化硅的混合层，每一层混合层中包括：在水平方向上交替分布的若干低k值介质区和若干高k值氮化硅区；每个低k值介质区上具有第一金属槽，所述第一金属槽中填充有金属；每个高k值氮化硅区上具有若干第二金属槽，所述若干第二金属槽中均填充有金属。发明通过提高层间和层内电容器的电介质的k值，有效地提高层间和层内电容器的电容。通过改善高k值氮化硅的性能，有效地改善金属-氮化硅-金属（MOM）电容器的击穿电压、漏电流等各电特性，以及各器件间的电学均匀性。

主权项

一种多层金属‑氮化硅‑金属电容器，其特征在于，具有若干层低k值介质和氮化硅的混合层，每一层混合层中包括：在水平方向上交替分布的若干低k值介质区和若干高k值氮化硅区；每个低k值介质区上具有第一金属槽，所述第一金属槽中填充有金属；每个高k值氮化硅区上具有若干第二金属槽，所述若干第二金属槽中均填充有金属。